Semi-conducteur vertical à oxyde de métal (VMOS)

Auteur: Louise Ward
Date De Création: 4 Février 2021
Date De Mise À Jour: 24 Juin 2024
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Semi-conducteur vertical à oxyde de métal (VMOS) - La Technologie
Semi-conducteur vertical à oxyde de métal (VMOS) - La Technologie

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Définition - Que signifie VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor)?

Un semi-conducteur vertical à oxyde de métal (VMOS) est un type de transistor à semi-conducteur à oxyde de métal (MOS), ainsi nommé en raison de la rainure en forme de V qui est découpée verticalement dans le substrat pour servir de grille au transistor afin de permettre la délivrance d'un signal. plus grande quantité de courant provenant de la source vers le «drain» de l'appareil.


Un semi-conducteur vertical à oxyde métallique est également appelé MOS à gorge en V.

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Techopedia explique le VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor)

Un semi-conducteur vertical en oxyde métallique est construit en formant quatre couches diffusées différentes en silicium, puis en gravant verticalement une rainure en V au milieu à une profondeur contrôlée avec précision à travers les couches. L'électrode de grille est ensuite formée dans la gorge en forme de V en déposant du métal, généralement du nitrure de gallium (GaN), sur du dioxyde de silicium dans la gorge.

VMOS a été principalement utilisé en tant que dispositif d’alimentation «à trou d’espacement» jusqu’à ce que de meilleures géométries telles que l’UMOS ou le MOS à tranchée soient introduites, ce qui crée un champ électrique plus bas au sommet, ce qui conduit ensuite à des tensions maximales plus élevées que ce qui est possible avec Transistors VMOS.