Mémoire à accès aléatoire résistive (ReRAM)

Auteur: Judy Howell
Date De Création: 2 Juillet 2021
Date De Mise À Jour: 21 Juin 2024
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Mémoire à accès aléatoire résistive (ReRAM) - La Technologie
Mémoire à accès aléatoire résistive (ReRAM) - La Technologie

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Définition - Que signifie mémoire à accès aléatoire résistif (ReRAM)?

La mémoire à accès aléatoire résistif (RRAM / ReRAM) est un nouveau type de mémoire conçue pour être non volatile. Il est en cours de développement par un certain nombre de sociétés et certaines ont déjà breveté leur propre version de la technologie. La mémoire fonctionne en changeant la résistance d'un matériau diélectrique spécial appelé memresistor (résistance à mémoire) dont la résistance varie en fonction de la tension appliquée.


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Techopedia explique la mémoire à accès aléatoire résistive (ReRAM)

La RRAM est le résultat d'un nouveau type de matériau diélectrique qui n'est pas endommagé de manière permanente et qui échoue en cas de rupture du diélectrique. pour un memresistor, la rupture diélectrique est temporaire et réversible. Lorsque la tension est appliquée délibérément à une résistance, des chemins conducteurs microscopiques appelés filaments sont créés dans le matériau. Les filaments sont causés par des phénomènes tels que la migration du métal ou même des défauts physiques. Les filaments peuvent être cassés et inversés en appliquant différentes tensions externes. C'est cette création et la destruction de filaments en grande quantité qui permettent le stockage de données numériques. Les matériaux ayant des caractéristiques de résistance aux intempéries comprennent les oxydes de titane et de nickel, certains électrolytes, les matériaux semi-conducteurs et même quelques composés organiques ont été testés pour présenter ces caractéristiques.


Le principal avantage de la mémoire RRAM par rapport à une autre technologie non volatile est sa vitesse de commutation élevée. En raison de la maigreur de leurs résistances, il présente un potentiel important en termes de densité de stockage élevée, de vitesses de lecture et d’écriture supérieures, de consommation d’énergie réduite et de coûts inférieurs à ceux de la mémoire flash. La mémoire flash ne pouvant continuer à évoluer en raison des limites des matériaux, la mémoire RAM remplacera bientôt la mémoire flash.